盛夏已過，初秋開場

九月的高熱仍然卻遲遲不散居住也免不下被繁多的操作轉生

油田大工作效率(6500V/3000A)IGBT公測難？伴近年來新項目市場需求急、日常任務重、標準高工程建設師們工作壓力山大...

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搞懂這幾個問題，輕松解決測試難題！

1、IGBT從硅(Si)到碳化硅(SiC)，測試條件向高壓大功率轉變

SiC絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，飽和電子漂移速率是Si的2倍；與600V～900V的Si MOSFET 相比，SiC MOSFET能夠實現“高耐壓”、“低導通電阻”、“高頻”這三個特性。因此，高壓大功率的IGBT單管、半橋模塊，測試條件需要達到6500V/3000A。

2、掃描模式對閾值電壓漂移的影響

考慮到SiC與Si能的有差異 ，SiC MOSFET的閥值工作額定電阻值具備有發飄相關性，在集成電路芯片檢測檢測手段過程中中閥值工作額定電阻值會凸顯漂移，形成其電能檢測檢測手段及高溫作業柵偏經過多次實驗發現后的電檢測檢測手段沒想到嚴重依賴感于檢測檢測手段要求。所以說閥值工作額定電阻值的正確檢測檢測手段，目前準確性檢測檢測手段手段有：

3、脈寬和溫度對導通電阻的影響

導通電阻功率 RDSon為影向元器件任務時導通消耗的資金的一最重要表現基本參數，其數字會隨 VGS 或是T的發展而發生變化。

4、FIMV、FVMI 對測試的影響

限流保證就能夠將工作電壓或電流量要求在SOA領域，以免元件燒壞或炸管。

測試測試前提條件：800V 恒壓 10μA 限流

檢測狀態：100μA 恒流1000V限壓

5、等效電阻對導通壓降測試的影響

? 開爾文（Kelvin）直流電探測電路設計將不斷提高導通相電壓在線測量導致精度；? SOCKET與PIN排斥功率電阻功率、考試引線導通功率電阻功率。

6、等效電感對導通壓降測試的影響

? 電感過大，直流電壓波型自激振蕩；? 電路等效電感、DUT等效電感。

7、線路等效電容對測試的影響

? 普通型同軸電纜電線的等效電感與DUT電容串聯，SMU試驗時回落各類比較穩定時長長；? 三同軸電攬等效電解電容基本上為0。

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